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化学气相沉积的特点

化学气相沉积工艺是，将加热的模具暴露在发生反应的混合气氛（真空度≤1Pa）中，使气体与模具表面发生反应，在模具表面上生成一层薄的固相沉积物，如金属碳化物、氮化物、硼化物等。这里有两个关键因素：

一是作为初始混合气体气相与基体固相界面的作用，气相沉积设备价格，也就是说，各种初始气体之间在界面上的反应来产生沉积，或是通过气相的一个组分与基体表面之间的反应来产生沉积。

二是沉积反应必须在一定的能量条件下进行。一般情况下，产生气相沉积的化学反应必须有足够高的温度作为条件，在有些情况下，气相沉积设备厂商，可以采用等离子体或激光辅助作为条件，降低沉积反应的温度。

化学气相沉积（Chemical Vapor Deition，气相沉积设备厂家，简称CVD），也即化学气相镀或热化学镀或热解镀或燃气镀，属于一种薄膜技术。常见的化学气相沉积工艺包括常压化学气相沉积（NPCVD），低压化学气相沉积（LPCVD），大气压下化学气相沉积（APCVD）。

镀膜机工艺在平板显现器中的运用一切各类平板显现器都要用到各品种型的薄膜，并且简直一切类型的平板显现器材都需求运用ITO膜，以满意通明电器的请求。能够毫不夸张的说：没有薄膜技能就没有平板显现器材。

（1）化学气相沉积（CVD）反应温度一般在900~1200℃，气相沉积设备，中温CVD例如MOCVD（金属有机化合***学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。

（2）常压化学气相沉积（NPCVD）或大气压下化学气相沉积（APCVD）是在0.01—0.1MPa压力下进行，低压化学气相沉积（LPCVD）则在10-4 MPa下进行。CVD或辉光放电CVD，是低压CVD的一种形式，其优点是可以在较低的基材温度下获得所希望的膜层性能。