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（1）化学气相沉积（CVD）反应温度一般在900~1200℃，中温CVD例如MOCVD（金属有机化合***学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。

（2）常压化学气相沉积（NPCVD）或大气压下化学气相沉积（APCVD）是在0.01—0.1MPa压力下进行，低压化学气相沉积（LPCVD）则在10-4 MPa下进行。CVD或辉光放电CVD，是低压CVD的一种形式，其优点是可以在较低的基材温度下获得所希望的膜层性能。

气相沉积主要分为两大类：

化学气相沉积(，简称CVD)；

物***相沉积(，小型气相沉积设备，简称PVD)。

，人们利用易挥发的液体TiCI稍加热获得TiCI气体和NH气体一起导入高温反应室，让这些反应气体分解，台湾气相沉积设备，再在高温固体表面上进行遵循热力学原理的化学反应，生成TiN和HCI，HCi被抽走，TiN沉积在固体表面上成硬质固相薄膜。人们把这种通过含有构成薄膜元素的挥发性化合物与气态物质，在固体表面上进行化学反应，且生成非挥发性固态沉积物的过程，气相沉积设备价格，称为化学气相沉积(，CVD)。

一个真正的单层，即大面积石墨烯薄膜覆盖在大面积铜箔上。改进了化学气相沉积(CVD)生长方法，消除了石墨烯生长在铜箔上的所有碳杂质。这种均匀“”的单层单晶石墨烯有望被用作超高分辨率透射电镜成像和光学设备的超薄支撑材料。也可作为一种合适的石墨烯，气相沉积设备厂商，以实现非常均匀的功能化，这将促使推动许多其他应用，特别是用于各种类型的传感器。