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PCVD工艺参数包括微观参数和宏观参数。微观参数如电子能量、等离子体密度及分布函数、反应气体的离解度等。宏观参数对于真空系统有，气体种类、配比、流量、压强、抽速等；对于基体来说有，沉积温度、相对位置、导电状态等；对于等离子体有，台湾气相沉积设备，放电种类、频率、电极结构、输进功率、电流密度、离子温度等。以上这些参数都是相互联系、相互影响的。

射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PCVD）

在低压容器的两极上加高频电压则产生射频放电形成等离子体，射频电源通常采用电容耦合或电感耦合方式，其中又可分为电极式和无电极式结构，气相沉积设备价格，电极式一般采用平板式或热管式结构，优点是可容纳较多工件，但这种装置中的分解率远低于1%，即等离子体的内能不高。电极式装置设在反应容器外时，主要为感应线圈，如图5，气相沉积设备厂家，也叫无极环形放电，射频频率为13.56MHz。

常压化学气相沉积（NPCVD）或大气压下化学气相沉积（APCVD）是在0.01—0.1MPa压力下进行，小型气相沉积设备，低压化学气相沉积（LPCVD）则在10-4 MPa下进行。CVD或辉光放电CVD，是低压CVD的一种形式，其优点是可以在较低的基材温度下获得所希望的膜层性能。

CVD的进一步发展是化学气相浸渍（CVI） ，或称化学气相注入，在这种工艺中由多孔材料制成的物件被注入某种元素以强化基材性能。

等离子辅助CVD（PACVD），也称为等离子活化CVD，等离子援助CVD，等离子增强CVD。