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同时，人们把另一类气相沉积，真空镀膜设备厂家，即通过高温加热金属或金属化合物蒸发成气相，真空镀膜设备厂，或者通过电子、等离子体、光子等荷能粒子的能量把金属或化合物靶溅射出相应的原子、离子、分子(气态)，在固体表面上沉积成固相膜，其中不涉及到物质的化学反应(分解或化合)，称为物***相沉积PVD)。

随着气相沉积技术的发展和应用，上述两类型气相沉积各自都有新的技术内容，两者相互交叉，新北镀膜设备，你中有我，我中有你，致使难以严格分清是化学的还是物理的。

PCVD工艺参数包括微观参数和宏观参数。微观参数如电子能量、等离子体密度及分布函数、反应气体的离解度等。宏观参数对于真空系统有，气体种类、配比、流量、压强、抽速等；对于基体来说有，真空镀膜设备，沉积温度、相对位置、导电状态等；对于等离子体有，放电种类、频率、电极结构、输进功率、电流密度、离子温度等。以上这些参数都是相互联系、相互影响的。

常压化学气相沉积（NPCVD）或大气压下化学气相沉积（APCVD）是在0.01—0.1MPa压力下进行，低压化学气相沉积（LPCVD）则在10-4 MPa下进行。CVD或辉光放电CVD，是低压CVD的一种形式，其优点是可以在较低的基材温度下获得所希望的膜层性能。

CVD的进一步发展是化学气相浸渍（CVI） ，或称化学气相注入，在这种工艺中由多孔材料制成的物件被注入某种元素以强化基材性能。

等离子辅助CVD（PACVD），也称为等离子活化CVD，等离子援助CVD，等离子增强CVD。