小型气相沉积设备-气相沉积设备-拉奇纳米镀膜设备

离子镀是在真空蒸发镀和溅射镀膜的基础上发展起来的一种镀膜技术，将各种气体放电方式引入到气相沉积领域，整个气相沉积过程都是在等离子体中进行的。　　

全SUS304优质不锈钢机身，隐藏式双层冷却水套设计　　

合理配备多套全新研制的离子弧源，有效保障弧源溅射的稳定性与均匀性　　

采用多路进气系统，精准控制气体流量，满足您多种化合物膜层需求。　　

装载大功率脉冲偏压电源，极大提高电粒子能量，从而获得的膜层结合力和光洁度　　

采用创新工艺制造，精益求精，通过欧盟CE和ISO质量管理体系认证；

物***相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤：

(1)镀料的气化：即使镀料蒸发，气相沉积设备公司，异华或被溅射，气相沉积设备厂商，也就是通过镀料的气化源。

(2)镀料原子、分子或离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后，产生多种反应。

(3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。

认识PVD物***相沉积技术

物***相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域，小型气相沉积设备，可制备具有耐磨、耐腐饰、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层。

（1）化学气相沉积（CVD）反应温度一般在900~1200℃，气相沉积设备，中温CVD例如MOCVD（金属有机化合***学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。

“辅助”CVD的工艺较多，主要有：

① 电子辅助CVD（EACVD）（也称为电子束辅助CVD，电子增强CVD，或电子束诱导CVD），涂层的形成在电子作用下得到改进。

② 激光辅助CVD（LACVD)，也称为激光CVD或光子辅助CVD，涂层的形成在激光辐照作用下得到改进。

③ 热丝CVD，也称为热CVD，一根热丝放在被镀物件附近进行沉积。

④ 金属有机化合物CVD（MOCVD），是在一种有机金属化合物气氛（这种气氛在室温时是稳定的，但在高温下分解）中进行沉积。