气相沉积设备-气相沉积设备厂家-拉奇纳米(推荐商家)

真空镀膜机光学加工工艺发展情况及未来趋势，中国的光学镀膜零件冷加工在中华民国时期是非常稀少的，到二十世纪五十年代从苏联和东德***引进光学加工技术，几乎是过来的。 光学冷加工采用的是散粒磨料粗磨、精磨，古典式抛光。

加工效率低下，同时对操作者的技术要求较高，每个操作者都要经过多年的技术岗位培训才能正式上岗工作。技术较好的工人可以从加工毛坯到抛光，独自完成全线的工作。这时的光学冷加工主要依靠技术工人的技能和经验加工零件，而工艺设计的作用在这个时期不是非常重要的。

（1）化学气相沉积（CVD）反应温度一般在900~1200℃，中温CVD例如MOCVD（金属有机化合***学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。

（2）常压化学气相沉积（NPCVD）或大气压下化学气相沉积（APCVD）是在0.01—0.1MPa压力下进行，低压化学气相沉积（LPCVD）则在10-4 MPa下进行。CVD或辉光放电CVD，是低压CVD的一种形式，其优点是可以在较低的基材温度下获得所希望的膜层性能。

化学气相沉积TiN

将经清洗、脱脂和氨气还原处理后的模具工件，置于充满H2（体积分数为99.99%）的反应器中，气相沉积设备厂家，加热到900-1100℃，通入N2（体积分数为99.99%）的同时，并带入气态TiCl4（质量分数不低于99.0%）到反应器中，小型气相沉积设备，则在工件表面上发生如下化学反应：

2TiCl4（气） N2（气） 4H2（气）→2TiN（固） 8HCl（气）

固态TiN沉积在模具表面上形成TiN涂层，厚度可达3-10μm，副产品HCl气体则被吸收器排出。工艺参数的控制如下：

（1）氮氢比对TiN的影响

一般情况下，氮氢体积比VN2/VH2lt;1/2时，气相沉积设备价格，随着N2的增加，TiN沉积速率增大，涂层显微硬度增大；当VN2/VH2≈1/2时，沉积速率和硬度达到值；当VN2/VH2gt;1/2时，沉积速率和硬度逐渐下降。当VN2/VH2≈1/2时，所形成的TiN涂层均匀致密，晶粒细小，气相沉积设备，硬度，涂层成分接近于化学当量的TiN，而且与基体的结合牢固。因此，VN2/VH2要控制在1/2左右。