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物***相沉积（PVD）工艺已经有100多年的历史了，等离子辅助PVD大约在80年前就申请了专利。术语“物***相沉积”仅在60年代出现。当时，需要通过发展众所周知的技术来发展真空镀膜工艺，例如溅射，真空，等离子体技术，磁场，气体化学，热蒸发，气相沉积设备厂家，弓形和电源控制，如Powell的书中详细描述的。在过去的30年中，等离子辅助PVD（PAPVD）被分为几种不同的电源技术，例如直流（DC）二极管，三极管，射频（RF），脉冲等离子体，离子束辅助涂层等。，该过程在基本理解上存在一些困难，因此引入了必要的更改以提供好处，例如从涂层到基材的出色附着力，结构控制以及低温下的材料沉积。

多弧离子PVD镀膜设备　　

腔体结构： 立式前开门，气相沉积设备多少钱，卧式前开门，气相沉积设备公司，后置真空获得系统　　

材质用料： 腔体采用优质SUS304不锈钢材质　　

离子弧源： 依据设备大小不同配备多套弧电源系统　　

偏压电源： 配备大功率单级脉冲偏压电源　　

多弧靶材： 标配多套钛靶或不锈钢靶材　　

转动系统： 变频调速，公自转结合，可采用上传动或下传动方式　　

真空系统（装饰镀膜设备Decorative coating）：扩散泵（可选分子泵） 罗茨泵 机械泵 维持泵 深冷系统（可选）

金属箔(尤其是铜箔)上的化学气相沉积(CVD)是目前制备大面积高质量石墨烯薄膜具发展前景的方法生长在铜箔上的石墨烯薄膜中为什么会出现“adlayers”，发现薄膜中的碳杂质直接导致adlayers的成核和生长。通过使用飞行时间二次离子质谱和燃烧分析，气相沉积设备，发现商业铜箔有‘过量的碳’，尤其是在表面附近，深度约为300纳米。