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有时将此方法用作预涂层，目的是提高基材的耐久性，减少摩擦并改善热性能-这意味着人们可以在同一涂层中结合PVD和CVD层等沉积方法。

在数学建模和数值模拟方面也有大量研究有助于改善此过程，气相沉积设备多少钱，这可能是优于其他过程的优势。这些研究对改善反应堆的特性有很大的影响，从而导致未来的成本降低，以及对薄膜机械性能的改善。

由于磁控溅射技术的发展将集中在未来对这些特定反应器的改进上，因此这项工作已成为主要***。

蒸镀中关键的两个参数是真空度（≤10-3Pa）和相对蒸发源的基片距离（10~50cm）。蒸镀过程中，膜层粒子与真空室中的气体的碰撞是应该避免的，气相沉积设备价格，因此，相对蒸发源的基片距离应大于工作状态下真空室内气体分子的平均自由程。

溅射镀膜过程为：气体放电→等离子体→带电离子→电场作用→离子加速→高能离子→撞击靶材→溅射→发射靶材原子→飞向基板→形成沉积→获得薄膜。

CVD法具有如下特点：可在大气或低于大气压下进行沉积金属、合金、陶瓷和化合物涂层，能在形状复杂的基体上或颗粒材料上沉积涂层。涂层的化学成分和结构较易准确控制，也可制备具有成分梯度的涂层。

涂层与基体的结合力高，设备简单操作方便，但它的处理温度一般为900-1200℃，气相沉积设备厂家，工件被加热到如此高的温度会产生以下问题：

（1）工件易变形，心部***恶化，气相沉积设备，性能下降。

（2）有脱碳现象，晶粒长大，残留奥氏体增多。

（3）形成ε相和复合碳化物。

（4）处理后的母材必须进行淬火和回火。

（5）不适用于低熔点的金属材料。

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