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多弧离子PVD镀膜设备　　

腔体结构： 立式前开门，卧式前开门，后置真空获得系统　　

材质用料： 腔体采用SUS304不锈钢材质　　

离子弧源： 依据设备大小不同配备多套弧电源系统　　

偏压电源： 配备大功率单级脉冲偏压电源　　

多弧靶材： 标配多套钛靶或不锈钢靶材　　

转动系统： 变频调速，公自转结合，可采用上传动或下传动方式　　

真空系统（装饰镀膜设备Decorative coating）：扩散泵（可选分子泵） 罗茨泵 机械泵 维持泵 深冷系统（可选）

镀膜技能在刀具、模具等金属切削加工东西方面的运用。在生活中咱们会看到金***的、钴铜色的、黑色的等七杂八色的钻头、铣刀、模具等，这些即是通过镀膜技能加工后的涂层东西。

（1）金***的是在刀具上涂镀了TiN、ZrN涂层。TiN是一代运用广泛的硬质层资料。

（2）黑色的是在切削东西上涂了TiC、CrN涂层。

（3）钴铜色的是在刀具上镀涂了TiALN涂层。

20世界80年代早期随着等离子体辅助PVD工艺的显露，CVD在工具方面的应用衰落了。但由于这种工艺具有非常好的渗入特性，其在CVI、ALE等领域的工艺中有着很好的应用前景，主要用于金属涂层、陶瓷涂层、无机涂层材料。

金属有机化合物CVD（MOCVD）工艺被广泛用于电子工业，例如生产AI和GaAs膜，当用于生长单晶材料膜时，这种工艺称为金属有机气相外延（MDVPE）。

原子层外延（ALE）CVD是一种CVD衍生方法，可以控制膜的成长，现在该工艺已用于生产电荧光膜。

（1）化学气相沉积（CVD）反应温度一般在900~1200℃，中温CVD例如MOCVD（金属有机化合***学气相沉积），反应温度在500~800℃。若通过气相反应的能量，还可把反应温度降低。

“辅助”CVD的工艺较多，主要有：

① 电子辅助CVD（EACVD）（也称为电子束辅助CVD，电子增强CVD，或电子束诱导CVD），涂层的形成在电子作用下得到改进。

② 激光辅助CVD（LACVD)，也称为激光CVD或光子辅助CVD，涂层的形成在激光辐照作用下得到改进。

③ 热丝CVD，也称为热CVD，一根热丝放在被镀物件附近进行沉积。

④ 金属有机化合物CVD（MOCVD），是在一种有机金属化合物气氛（这种气氛在室温时是稳定的，但在高温下分解）中进行沉积。

射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PCVD）

在低压容器的两极上加高频电压则产生射频放电形成等离子体，射频电源通常采用电容耦合或电感耦合方式，其中又可分为电极式和无电极式结构，电极式一般采用平板式或热管式结构，优点是可容纳较多工件，但这种装置中的分解率远低于1%，即等离子体的内能不高。电极式装置设在反应容器外时，主要为感应线圈，如图5，也叫无极环形放电，射频频率为13.56MHz。