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CVD法具有如下特点：可在大气或低于大气压下进行沉积金属、合金、陶瓷和化合物涂层，能在形状复杂的基体上或颗粒材料上沉积涂层。涂层的化学成分和结构较易准确控制，也可制备具有成分梯度的涂层。

涂层与基体的结合力高，设备简单操作方便，但它的处理温度一般为900-1200℃，工件被加热到如此高的温度会产生以下问题：

（1）工件易变形，心部***恶化，性能下降。

（2）有脱碳现象，晶粒长大，残留奥氏体增多。

（3）形成ε相和复合碳化物。

（4）处理后的母材必须进行淬火和回火。

（5）不适用于低熔点的金属材料。

微波等离子体化学气相沉积（MW-PCVD）

微波等离子体的特点是能量大，活性强。激发的亚稳态原子多，化学反应轻易进行，是一种很有发展前途、用途广泛的新工艺，微波频率为2.45GHz，

微波放电与直流辉光放电相比具有设备结构简单，轻易起辉，耦合，工作稳定，无气体污染及电极腐蚀，工作频带宽等优点，装置主要由微波发生器、环形器、定向耦合器、表面波导放电部分及沉积室组成。

原子沉积过程可以在真空，气态，等离子体或电解环境中进行。而且，沉积室中的真空环境会将沉积过程中的气态污染降低到非常低的水平。

过去的几十年展示了PVD技术的发展，旨在改善涂层特性和沉积速率，而无需保留初始表面清洁以去除可能的污染物。该技术已经得到了相关的改进，主要是在碳化物和纳米复合过渡金属氮化物衬底上。尽管这种方法的沉积速率有效性的提高一直是与这种技术有关的工业关注的***，但研究仍集中在改善涂层的特性上。