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总之，化学气相沉积就是，利用气态物质在固体表面上进行化学反应，生成固态沉积物的过程。其过程如下：

（1）反应气体向工件表面扩散并吸附。

（2）吸附于工件表面的各种物质发生表面化学反应。

（3）生成物质点聚集成晶核并长大。

（4）表面化学反应中产生的气体产物脱离工件表面返回气相。

（5）沉积层与基体的界面发生元素的相互扩散，而形成镀层。

CVD法是，将工件置于有氢气保护的炉内，加热到800℃以上高温，向炉内通入反应气体，使之在炉内热解，化合成新的化合物沉积在工件表面。在模具的应用中，其覆膜厚度一般为6-10μm。

PCVD工艺参数包括微观参数和宏观参数。微观参数如电子能量、等离子体密度及分布函数、反应气体的离解度等。宏观参数对于真空系统有，气体种类、配比、流量、压强、抽速等；对于基体来说有，沉积温度、相对位置、导电状态等；对于等离子体有，放电种类、频率、电极结构、输进功率、电流密度、离子温度等。以上这些参数都是相互联系、相互影响的。

随着市场和研究人员的要求，随着基于传统工艺的新系统的出现，新的涂料性能得到了发展。即使通过蒸发工艺获得的沉积速率是理想的，但事实是，溅射沉积技术在质量和沉积速率方面取得了无疑的进步，响应了对此领域感兴趣的行业和研究人员的需求，甚至用作中间层，用于通过化学气相沉积（CVD）获得的其他涂层。

CVD是另一种在真空下沉积的方法，并且是使待沉积材料中的挥发性化合物与其他气体发生化学反应的过程，以产生沉积在基材上的非挥发性固体。