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物***相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤：

(1)镀料的气化：即使镀料蒸发，异华或被溅射，也就是通过镀料的气化源。

(2)镀料原子、分子或离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后，产生多种反应。

(3)镀料原子、分子或离子在基体上沉积。

认识PVD物***相沉积技术

物***相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、电子、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域，可制备具有耐磨、耐腐饰、装饰、导电、绝缘、光导、压电、磁性、润滑、超导等特性的膜层。

CVD法具有如下特点：可在大气或低于大气压下进行沉积金属、合金、陶瓷和化合物涂层，能在形状复杂的基体上或颗粒材料上沉积涂层。涂层的化学成分和结构较易准确控制，也可制备具有成分梯度的涂层。

涂层与基体的结合力高，设备简单操作方便，但它的处理温度一般为900-1200℃，工件被加热到如此高的温度会产生以下问题：

（1）工件易变形，心部***恶化，性能下降。

（2）有脱碳现象，晶粒长大，残留奥氏体增多。

（3）形成ε相和复合碳化物。

（4）处理后的母材必须进行淬火和回火。

（5）不适用于低熔点的金属材料。

直流等离子体化学气相沉积（DC-PCVD）

DC-PCVD是利用高压直流负偏压（-1～-5kV），使低压反应气体发生辉光放电产生等离子体，等离子体在电场作用下轰击工件，并在工件表面沉积成膜。

直流等离子体比较简单，工件处于阴极电位，受其外形、大小的影响，使电场分布不均匀，在阴极四周压降，电场强度，正由于有这一特点，所以化学反应也集中在阴极工件表面，加强了沉积效率，避免了反应物质在器壁上的消耗。缺点是不导电的基体或薄膜不能应用。由于阴极上电荷的积累会排斥进一步的沉积，并会造成积累放电，***正常的反应。

手机镀膜设备PCVD技术具有沉积温度低，沉积速率快，绕镀性好，薄膜与基体结合强度好，设备操纵维护简单等优点，用PCVD法调节工艺参数方便灵活，轻易调整和控制薄膜厚度和成份组成结构，沉积出多层复合膜及多层梯度复合膜等膜，同时，PCVD法还拓展了新的低温沉积领域，例如，用PCVD法可将TiN的反应温度由CVD法的1000℃降到200～500℃，用PCVD法制备纳米陶瓷薄膜的特点是：产品的杨氏模量、抗压强度和硬度都很高，耐磨性好，化学性能稳定，性和腐蚀性好，有较高的高温强度。